摊上事了三星被指盗取FinFET专利技术

2019-04-11 03:16:48 来源: 阿里信息港

随着三星、台积电的10nm工艺正式量产,目前已经确定智能外呼机器人
,明年旗舰芯片的制程将正式进入10nm阶段,三星的10nm工艺将为自家的Exynos处理器和高通骁龙835代工。但韩媒近期曝光,三星的10nm FinFET工艺涉嫌盗取韩国科学技术院(KAIST)的专利,后者计划对三星提起诉讼。韩国科学技术院坚称是他们开发了10nm FinFET工艺,并认为高通、台积电也侵犯了其FinFET技术专利,目前三星还并未就此事表态。

根据韩国科学技术院的说法,三星曾经邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司工程师展示FinFET技术原理,并借此机会盗取了这项技术,而李钟浩正是KAIST合伙人之一肩颈疼痛
。韩国科学技术院坚称,三星在分文未花的情况下盗取了李钟浩的发明,从而削减了开发时间和成本。而后,三星在没有在取得授权或支付适当赔偿金的情况下使用李钟浩的发明。

另外韩国科学技术院也透露,包括高通、台积电等也涉嫌着对其专利的侵犯,作为半导体巨头的英特尔已意识到他们才是FinFET技术的真正开发者,并已经取得了相应技术授权。

早在几年之前,三星挖来了台积电的高管工地洗车槽
,就此和台积电有过一段专利技术的纠纷。今天面临来自韩国科学技术院的专利起诉,三星还未就此事表态,但愿这场专利风波不会影响10nm处理器的生产。

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